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DMP2005UFG

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:392.52 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMP2005UFG-13

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMP2005UFG-7

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:392.52 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMP2005UFG

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Low RDS(ON) – ensures on state losses are minimized\nSmall form factor, thermally efficient package enables higher density end products\nOccupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling smaller end product;

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    On Request*

  • Polarity:

    P

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    20 V

  • VGS:

    10 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    19 A

  • PD @ TA = +25°C:

    2.2 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    4 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    6.5 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    14 mΩ

  • VGS (th) Max:

    0.9 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    55 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    125 nC

  • Packages:

    PowerDI3333-8

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更多DMP2005UFG供应商 更新时间2025-10-12 9:03:00