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DGD2113S16-13	文件：1.89692 Mbytes Page：12 Pages	Marking：DGD2113；Package：SO-16；HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVERS IN SO-16 Features •DrivestwoN-ChannelMOSFETsorIGBTsinHigh-Side/Low-SideConfiguration •FloatingHigh-SideOperatesto600V •2.5ASink/2.5ASourceTypicalOutputCurrents •OutputsTolerantToNegativeTransients •WideGateDriverSupplyVoltageRange:10Vto20V •WideLogicInputSupplyV	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DGD2113S16-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

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DGD2113S16-13

文件：1.89692 Mbytes

Page：12 Pages

Marking：DGD2113；Package：SO-16；HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVERS IN SO-16

Features •DrivestwoN-ChannelMOSFETsorIGBTsinHigh-Side/Low-SideConfiguration •FloatingHigh-SideOperatesto600V •2.5ASink/2.5ASourceTypicalOutputCurrents •OutputsTolerantToNegativeTransients •WideGateDriverSupplyVoltageRange:10Vto20V •WideLogicInputSupplyV

DIODES

Diodes Incorporated

DIODES

DGD2113S16-13

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

产品属性

产品编号：
DGD2113S16-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
6V，9.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2.5A，2.5A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
15ns，13ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
16-SO
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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