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DGD21064MS14-13	文件：720.53 Kbytes Page：11 Pages	Marking：DGD21064M；Package：SO-14；HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-14 (Type TH) Features -FloatingHigh-SideDriverinBootstrapOperationto600V -DrivesTwoN-ChannelMOSFETsorIGBTsinHalfBridgeConfiguation -OutputsToleranttoNegativeTransients -WideLogicandLow-SideGateDriverSupplyVoltage:10Vto20V -WideLogicSupplyVoltageOffsetVoltage:-5Vto	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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Marking：DGD21064M；Package：SO-14；HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-14 (Type TH)

Features -FloatingHigh-SideDriverinBootstrapOperationto600V -DrivesTwoN-ChannelMOSFETsorIGBTsinHalfBridgeConfiguation -OutputsToleranttoNegativeTransients -WideLogicandLow-SideGateDriverSupplyVoltage:10Vto20V -WideLogicSupplyVoltageOffsetVoltage:-5Vto

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Marking：DGD21064M；Package：SO-14；HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

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DGD21064MS14-13

文件：100 bytes

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Package：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRV HALF-BRIDG 14SO 2.5K

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

产品属性

产品编号：
DGD21064MS14-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.6V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
290mA，600mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
100ns，35ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
14-SO
描述：
IC GATE DRV HALF-BRIDG 14SO 2.5K

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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