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DGD2117S8-13	文件：602.39 Kbytes Page：11 Pages	Marking：DGD2117；Package：SO-8；SINGLE CHANNEL GATE DRIVER Features -FloatingChannelinBootstrapOperationto600V -DrivesOneN-ChannelMOSFETorIGBT -OutputsToleranttoNegativeTransients -WideLogicSupply:10Vto20V -SchmittTriggeredLogicInputwithInternalPullDown -UndervoltageLockout -ExtendedTemperatureRange:-40°Cto+1	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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DGD2117S8-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO	PAM Diodes Incorporated	PAM

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DGD2117S8-13

文件：602.39 Kbytes

Page：11 Pages

Marking：DGD2117；Package：SO-8；SINGLE CHANNEL GATE DRIVER

Features -FloatingChannelinBootstrapOperationto600V -DrivesOneN-ChannelMOSFETorIGBT -OutputsToleranttoNegativeTransients -WideLogicSupply:10Vto20V -SchmittTriggeredLogicInputwithInternalPullDown -UndervoltageLockout -ExtendedTemperatureRange:-40°Cto+1

DIODES

Diodes Incorporated

DIODES

DGD2117S8-13

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SINGLE CHANNEL GATE DRIVER

DIODES

Diodes Incorporated

DIODES

DGD2117S8-13

文件：100 bytes

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO

PAM

Diodes Incorporated

PAM

产品属性

产品编号：
DGD2117S8-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
高端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
6V，9.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
290mA，600mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
75ns，35ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SO
描述：
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO

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