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DGD2106MS8-13

Marking:DGD2106M;Package:SO-8;HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-8

Features -FloatingHigh-SideDriverinBootstrapOperationto600V -DrivesTwoN-ChannelMOSFETsorIGBTsinHigh-Side/Low-SideConfiguation -OutputsToleranttoNegativeTransients -WideLogicandLow-SideGateDriverSupplyVoltage:10Vto20V -LogicInput(HINandLIN)3.3VCapability

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DGD2106MS8-13

Marking:DGD2106M;HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-8

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Marking:DGD2106M;Package:SO-8;HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER

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DGD2106MS8-13

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K

PAM

Diodes Incorporated

产品属性

  • 产品编号:

    DGD2106MS8-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.6V,2.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    290mA,600mA

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    100ns,35ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SO

  • 描述:

    IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K

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更多DGD2106MS8-13供应商 更新时间2025-4-30 16:20:00