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DGD2190MS8-13

丝印:DGD2190M;Package:SO-8;HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-8

Features Floating High-Side Driver in Bootstrap Operation to 600V Drives Two N-Channel MOSFETs or IGBTs in a Half-Bridge Configuation Output Drivers Capable of 4.5A/4.5A Typ. Sink/Source Logic Input (HIN and LIN) 3.3V Capability Schmitt Triggered Logic Inputs with Internal Pull-Down Undervo

文件:741.83 Kbytes 页数:11 Pages

DIODES

美台半导体

DGD2190MS8-13

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K

DIODES

美台半导体

产品属性

  • 产品编号:

    DGD2190MS8-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    4.5A,4.5A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    25ns,20ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SO

  • 描述:

    IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K

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