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DGD2304S8-13	文件：786.8 Kbytes Page：11 Pages	Marking：DGD2304；Package：SO-8；HALF-BRIDGE GATE DRIVER IN SO-8 Features -FloatingHigh-SideDriverinBootstrapOperationto600V -DrivesTwoN-channelMOSFETsorIGBTsinaHalfBridgeConfiguration -290mASource/600mASinkOutputCurrentCapability -OutputsToleranttoNegativeTransients -InternalLogicandDeadTime(100ns)toProtectMOSFETs -	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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DGD2304S8-13

文件：786.8 Kbytes

Page：11 Pages

Marking：DGD2304；Package：SO-8；HALF-BRIDGE GATE DRIVER IN SO-8

Features -FloatingHigh-SideDriverinBootstrapOperationto600V -DrivesTwoN-channelMOSFETsorIGBTsinaHalfBridgeConfiguration -290mASource/600mASinkOutputCurrentCapability -OutputsToleranttoNegativeTransients -InternalLogicandDeadTime(100ns)toProtectMOSFETs -

DIODES

Diodes Incorporated

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DGD2304S8-13

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Marking：DGD2304；Package：SO-8；HALF-BRIDGE GATE DRIVER

DIODES

Diodes Incorporated

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DGD2304S8-13

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

产品属性

产品编号：
DGD2304S8-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.7V，2.3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
290mA，600mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
70ns，35ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SO
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DGD2304S8-13供应商更新时间2025-5-24 8:50:00

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