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DMN2005UPS	文件：647.42 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：647.42 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2005UPS-13	文件：647.42 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：647.42 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2005UPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP2005UFG	文件：392.52 Kbytes Page：7 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：392.52 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
E-2005	文件：104.48 Kbytes Page：1 Pages	SERIES 2000 UPRIGHT CABINET RACK 文件：104.48 Kbytes 页数：1 Pages	BUD	BUD
EAB2005S	文件：462.3 Kbytes Page：8 Pages	THINKISEMIS FAST RECOVERY TYPE MINIATURE SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIERS 文件：462.3 Kbytes 页数：8 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
20 A
PD @ TA = +25°C：
3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
4.6 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
8.7 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
60 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
142 nC
Packages：
PowerDI5060-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科雨电子有限公司	DMN2005UPS-13	DIODES	25+	DFN	3675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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