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DMN2005UFG	文件：518.289 Kbytes Page：7 Pages	Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 文件：518.289 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2005UFGQ	文件：562.19 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low RDS(ON)—Ensures On-State Losses are Minimized  Small-Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products  Occupies 33 of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling Smaller End Product  100 Unclamped Inductive Switching, Test in Production— Ensures Mor 文件：562.19 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2005UFGQ-13	文件：562.19 Kbytes Page：7 Pages	丝印：N05；Package：PowerDI3333-8；20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low RDS(ON)—Ensures On-State Losses are Minimized  Small-Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products  Occupies 33 of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling Smaller End Product  100 Unclamped Inductive Switching, Test in Production— Ensures Mor 文件：562.19 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2005UFGQ-7	文件：562.19 Kbytes Page：7 Pages	丝印：N05；Package：PowerDI3333-8；20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low RDS(ON)—Ensures On-State Losses are Minimized  Small-Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products  Occupies 33 of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling Smaller End Product  100 Unclamped Inductive Switching, Test in Production— Ensures Mor 文件：562.19 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2005UFG_15	文件：344.56 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI짰 文件：344.56 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2005UFG-13	文件：518.289 Kbytes Page：7 Pages	Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 文件：518.289 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2005UFG-7	文件：518.289 Kbytes Page：7 Pages	Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 文件：518.289 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2005UFGQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. • Low RDS(ON)—Ensures On-State Losses are Minimized• Small-Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products• Occupies 33% of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling Smaller End Product• 100% Unclamped Inductive Switching, Test in Production—Ensures More Reliable A;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
18.1 A
PD @ TA = +25°C：
2.27 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
4.6 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
8.7 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
68.8 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
164 nC
Packages：
PowerDI3333-8

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