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DMN2005UFGQ-13

丝印:N05;Package:PowerDI3333-8;20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features  Low RDS(ON)—Ensures On-State Losses are Minimized  Small-Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products  Occupies 33 of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling Smaller End Product  100 Unclamped Inductive Switching, Test in Production— Ensures Mor

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DIODES

美台半导体

DMN2011UFDE-7

U-DFN2020-6

DIODES/美台

DMN2044UCB4-7

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DMN2300UFD-7-81

X1-DFN1212-3

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DMN24H3D5L-7

SOT-23

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美台半导体

上传:深圳市科芯源微电子有限公司

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