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DMN2005UFGQ-7

丝印:N05;Package:PowerDI3333-8;20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features LowRDS(ON)—EnsuresOn-StateLossesareMinimized Small-FormFactorThermallyEfficientPackageEnablesHigher DensityEndProducts Occupies33oftheBoardAreaOccupiedbySO-8Enabling SmallerEndProduct 100UnclampedInductiveSwitching,TestinProduction— EnsuresMor

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

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DMN2008LFU-7

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U-DFN2030-6

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上传:深圳兆威电子有限公司

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DMN2011UFDE-7

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U-DFN2020-6

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DMN2300UFD-7-81

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X1-DFN1212-3

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DMN24H3D5L-7

DIODES
SOT-23

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

上传:深圳市科芯源微电子有限公司

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Diodes Incorporated
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DIODES/美台
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POWERDI5060-8
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更多DMN2005UFGQ-7供应商 更新时间2025-8-1 14:04:00