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DGD2101MS8-13 | 丝印:DGD21012;Package:SO-8;HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-8 Features - Floating High-Side Driver in Bootstrap Operation to 600V - Drives Two N-Channel MOSFETs or IGBTs in High-Side / Low-Side Configuation - Outputs Tolerant to Negative Transients - Wide Low-Side Gate Driver and Logic Supply: 10V to 20V - Logic Inputs CMOS and TTL Compatible (Down to 3 文件:1.2792 Mbytes 页数:11 Pages | DIODES 美台半导体 | DIODES | |
DGD2101MS8-13 | HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER 文件:1.34399 Mbytes 页数:11 Pages | DIODES 美台半导体 | DIODES | |
DGD2101MS8-13 | Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HI/LO-SIDE 8SO 2.5K | DIODES 美台半导体 | DIODES |
产品属性
- 产品编号:
DGD2101MS8-13
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置:
高压侧或低压侧
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2.5V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
290mA,600mA
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
70ns,35ns
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SO
- 描述:
IC GATE DRVR HI/LO-SIDE 8SO 2.5K
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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