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DGD2136S28-13	文件：1.58842 Mbytes Page：14 Pages	Marking：DGD2136；Package：SO-28；3-PHASE HALF-BRIDGE GATE DRIVER IN SO-28 Features ThreeFloatingHigh-SideDriversinBootstrapOperationto600V 200mASource/350mASinkOutputCurrentCapability OutputsToleranttoNegativeTransients,dV/dtImmune LogicInput3.3VCapability InternalDeadtimeof290nstoProtectMOSFETs MatchedPropDelayforAllChannels Ou	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DGD2136S28-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SO	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

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DGD2136S28-13

文件：1.58842 Mbytes

Page：14 Pages

Marking：DGD2136；Package：SO-28；3-PHASE HALF-BRIDGE GATE DRIVER IN SO-28

Features ThreeFloatingHigh-SideDriversinBootstrapOperationto600V 200mASource/350mASinkOutputCurrentCapability OutputsToleranttoNegativeTransients,dV/dtImmune LogicInput3.3VCapability InternalDeadtimeof290nstoProtectMOSFETs MatchedPropDelayforAllChannels Ou

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

DGD2136S28-13

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SO

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

产品属性

产品编号：
DGD2136S28-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
3 相
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
200mA，350mA
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
90ns，35ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
28-SO
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SO

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