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DGD2103MS8-13	文件：897.23 Kbytes Page：11 Pages	丝印：DGD2103M；Package：SO-8；HALF-BRIDGE GATE DRIVER IN SO-8 Features Floating High-Side Driver in Bootstrap Operation to 600V Drives Two N-Channel MOSFETs or IGBTs in a Half-Bridge Configuration Designed for Enhanced Performance in Noisy Motor Applications 290mA Source/600mA Sink Output Current Capability Outputs Tolerant to Negative Transients Inte 文件：897.23 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DGD2103MS8-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO	DIODES 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
DGD2103MS8-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
290mA，600mA
输入类型：
反相，非反相
上升/下降时间（典型值）：
70ns，35ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SO
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

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