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CSD85302LT.B	文件：474.29 Kbytes Page：12 Pages	丝印：85302；Package：PICOSTAR；CSD85302L 20 V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Common Drain Configuration • Low On-Resistance • Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm • Pb Free and Halogen Free • RoHS Compliant • ESD HBM Protection >2.5 kV 2 Applications • USB Type-C/PD • Battery Management • Battery Protection 3 Description This 20 V, 18.7 mΩ, 1. 文件：474.29 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD85312Q3E	文件：1.20772 Mbytes Page：15 Pages	丝印：85312E；Package：VSON；Dual 20 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES • Common Source Connection • Low Drain to Drain On-Resistance • Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm Plastic Package • Optimized for 5 V Gate Drive • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free APPLICATIONS • Adaptor or USB I 文件：1.20772 Mbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD85312Q3E.B	文件：1.20772 Mbytes Page：15 Pages	丝印：85312E；Package：VSON；Dual 20 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES • Common Source Connection • Low Drain to Drain On-Resistance • Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm Plastic Package • Optimized for 5 V Gate Drive • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free APPLICATIONS • Adaptor or USB I 文件：1.20772 Mbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD85301Q2	文件：1.16601 Mbytes Page：15 Pages	20V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：1.16601 Mbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD85301Q2_15	文件：1.13431 Mbytes Page：15 Pages	CSD85301Q2 20 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：1.13431 Mbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD85301Q2T	文件：1.16601 Mbytes Page：15 Pages	20V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：1.16601 Mbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD85302L	文件：418.64 Kbytes Page：13 Pages	20 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：418.64 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD85302LT	文件：418.64 Kbytes Page：13 Pages	20 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：418.64 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD85312Q3E	文件：1.46103 Mbytes Page：13 Pages	Dual 20 V N-Channel NexFE Power MOSFETs 文件：1.46103 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD85312Q3E	文件：1.4649 Mbytes Page：13 Pages	Dual 20 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：1.4649 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Dual
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
27
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
26
QG typ (nC)：
4.2
QGD typ (nC)：
1
Package (mm)：
SON2x2
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
0.9
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
5
ID - package limited (A)：
5
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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