采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、24mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。 • 共漏极配置\n• 低导通电阻\n• 1.35mm × 1.35mm 小外形封装\n• 无铅且无卤素 \n• 符合 RoHS 标准 \n• 人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 > 2.5kV;

TI

德州仪器

采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、14mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD85312Q3E 是一款设计用于适配器或 USB 输入保护的 20V 共源、双路 N 通道器件。 此类 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏极到漏极导通电阻，这大大减少了损耗并且为空间受限的多节电池充电类应用提供低组件数量。 • 共源连接\n• 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm x 3.3mm 塑料封装\n• 低热阻\n• 无铅端子电镀\n• 无卤素;

TI

德州仪器