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BSP43 | SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY TYPES - BSP43 - BSP33 BSP41 - BSP31 PARTMARKING DETAIL - DEVICE TYPE IN FULL 文件：47.35 Kbytes 页数：1 Pages | Zetex | Zetex | |
BSP43 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY TYPES - BSP43 - BSP33 BSP41 - BSP31 PARTMARKING DETAIL - DEVICE TYPE IN FULL 文件：36.08 Kbytes 页数：1 Pages | Zetex | Zetex | |
BSP43 | NPN medium power transistors DESCRIPTION NPN medium power transistor in a SOT223 plastic package. PNP complements: BSP31; BSP32 and BSP33. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Telephony and general industrial applications • Thick and thin-film circuits. 文件：43.24 Kbytes 页数：8 Pages | PHI 飞利浦 | PHI | |
BSP43 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 1.3 W • Plastic case SOT-223 • Weight approx. 0.04 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard 文件：171.22 Kbytes 页数：2 Pages | Diotec 德欧泰克 | Diotec | |
BSP43 | NPN medium power transistors DESCRIPTION NPN medium power transistor in a SOT223 plastic package. PNP complements: BSP31; BSP32 and BSP33. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Telephony and general industrial applications • Thick and thin-film circuits. 文件：112.25 Kbytes 页数：6 Pages | 恩XP | 恩XP | |
BSP43 | MEDIUM POWER AMPLIFIER MEDIUM POWER AMPLIFIER ■ SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORS ■ MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR APPLICATION IN SURFACE MOUNTING CIRCUITS ■ GENERAL PURPOSE MAINLY INTENDED FOR USE IN MEDIUM POWER INDUSTRIAL APPLICATION AND FOR AUDIO AMPLIFIER OUTPUT STAGE ■ PNP COMPLEMENTS ARE BSP 文件：73.27 Kbytes 页数：4 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
BSP43 | NPN medium power transistors FEATURES •High current (max. 1 A) •Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS •Telephony and general industrial applications •Thick and thin-film circuits. DESCRIPTION NPN medium power transistor in a SOT223 plastic package. PNP complements: BSP31; BSP32 and BSP33. 文件：295.79 Kbytes 页数：7 Pages | NEXPERIA 安世 | NEXPERIA | |
BSP43 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS | Diodes 美台半导体 | Diodes | |
Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 80V 1A SOT223 | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
表面帖装型 （SMD）_低频或音频放大 （LF）_开关管
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
90V
- 最大电流允许值：
1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
1.5W
- 放大倍数：
β>100
- 图片代号：
H-99
- vtest：
90
- htest：
999900
- atest：
1
- wtest：
1.5
详细参数
- 型号：
BSP43
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
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SOT223 |
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