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BSR14	文件：45.87 Kbytes Page：8 Pages	丝印：U8*；Package：SOT-23；NPN switching transistors DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BSR15 and BSR16. FEATURES • High current (max. 800 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • Switching and linear applications. 文件：45.87 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BSR14	文件：147.75 Kbytes Page：4 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS N–P–N silicon transistors SOT-23 Formed SMD Package 文件：147.75 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
BSR14	文件：183.89 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：183.89 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
BSR14	文件：145.71 Kbytes Page：8 Pages	丝印：U8*；Package：SOT-23；NPN switching transistors DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BSR15 and BSR16. FEATURES • High current (max. 800 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • Switching and linear applications. 文件：145.71 Kbytes 页数：8 Pages	恩XP	恩XP
BSR14	文件：49.7 Kbytes Page：3 Pages	丝印：U8；Package：SOT-23；NPN General Purpose Amplifier Features • This device is for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500 mA. • Sourced from Process 19. • See BCW65C for characteristics. 文件：49.7 Kbytes 页数：3 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BSR14	文件：340.26 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 75V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat)= 1V(Max) @IC=0.5A APPLICATIONS ·Switching and linear applications 文件：340.26 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BSR14	文件：41.14 Kbytes Page：2 Pages	NPN Switching Transistors Features ● High current (max. 800 mA). ● Low voltage (max. 40 V). 文件：41.14 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BSR14	文件：376.31 Kbytes Page：9 Pages	丝印：U8；Package：SOT23；NPN switching transistors FEATURES •High current (max. 800 mA) •Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS •Switching and linear applications. DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BSR15 and BSR16. 文件：376.31 Kbytes 页数：9 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSR14	文件：105.84 Kbytes Page：3 Pages	丝印：U8；Package：SOT-23；NPN General Purpose Amplifier 文件：105.84 Kbytes 页数：3 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BSR14_12	文件：105.84 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Amplifier 文件：105.84 Kbytes 页数：3 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

晶体管资料

型号：
BSR14
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_射频/高频放大（HF）_开关管
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
75V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS79,BSS81,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
75
htest：
999900
atest：
0.8
wtest：
0

产品属性

产品编号：
BSR14
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 40V 0.8A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	BSR14	FAIRCHILD/仙童	25+	SOT-23	154487	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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更多BSR14供应商更新时间2025-12-24 10:31:00

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