| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
26800 |
24+ |
只做原装正品,每一片都来自原厂 |
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1年
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
26800 |
24+ |
只做原装正品,每一片都来自原厂 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
26800 |
24+ |
只做原装正品,每一片都来自原厂 |
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11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
26800 |
24+ |
只做原装正品,每一片都来自原厂 |
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6年
留言
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Infineon/英飞凌原厂封装 |
10280 |
26+ |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-23 |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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4年
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A/NBGA |
6850 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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8年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-23 |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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4年
留言
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Infineon(英飞凌) |
25650 |
23+ |
新到现货,只做原装进口 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-23 |
20316 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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13年
留言
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INFINEONTube |
75000 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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8年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-23 |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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12年
留言
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INFINEONSOT-23 |
6500 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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8年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
36000 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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7年
留言
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VBsemi(微碧)N/A |
28630 |
24+ |
原装正品现货支持实单 |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
46780 |
26+ |
全新原装现货,假一赔十,支持检测 |
BSS15采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BSS15图片
BSS159NH6327价格
BSS159NH6327价格：￥0.5239品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的BSS159NH6327多少钱，想知道BSS159NH6327价格是多少？参考价：￥0.5239。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BSS159NH6327批发价格及采购报价，BSS159NH6327销售排行榜及行情走势，BSS159NH6327报价。
BSS159NH6327中文资料Alldatasheet PDF
更多BSS15功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 75V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-39
BSS159N制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 60V 0.23A SOT23
BSS159N E6327功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSS159N E6906功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSS159N H6327功能描述:MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS159N H6906功能描述:MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS159N L6327功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.23A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS159N L6906功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 60V .13A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS159N_06制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSS159NE6327T制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:DEPLETION, SOT23, 3K T&R,50V,0
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
射频/高频放大 （HF）_开关管 （S）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
2A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BSS42,BSW39,BSW66,2N5320,2N5321,2SD854,3DK204B,
- 最大耗散功率：
1W
- 放大倍数：
- 图片代号：
C-40
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
2
- wtest：
1
