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BSP60,115功能描述:达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

BSP60_07制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon Darlington Transistor

BSP603S2L功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSP603S2LHUMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223

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BSP603S2LT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

BSP603S2LXT制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223

BSP60BSP62制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon Darlington Transistors(High collector current Low collector-emitter saturation voltage)

晶体管资料

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  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性质：

    表面帖装型 （SMD）

  • 封装形式：

    贴片封装

  • 极限工作电压：

    60V

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    1.5A

  • 最大工作频率：

    350MHZ

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

  • 最大耗散功率：

    1.5W

  • 放大倍数：

    β>2000

  • 图片代号：

    H-99

  • vtest：

    60

  • htest：

    350000000

  • atest：

    1.5

  • wtest：

    1.5

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