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BSP60 | PNP Darlington transistors DESCRIPTION PNPDarlingtontransistorinaSOT223plasticpackage. NPNcomplements:BSP50,BSP51andBSP52. FEATURES •Highcurrent(max.0.5A) •Lowvoltage(max.80V) •Integrateddiodeandresistor. APPLICATIONS •Industrialswitchingapplicationssuchas: –Printhammer –Sol | PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦 |  | |
BSP60 | PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage) PNPSiliconDarlingtonTransistors ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BSP50…BSP52(NPN) | SIEMENS Siemens Ltd |  | |
BSP60 | PNP Silicon Darlington Transistors PNPSiliconDarlingtonTransistor •Highcollectorcurrent •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BSP50...BSP52(NPN) •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | |
BSP60 | PNP Darlington transistors DESCRIPTION PNPDarlingtontransistorinaSOT223plasticpackage. NPNcomplements:BSP50,BSP51andBSP52. FEATURES •Highcurrent(max.0.5A) •Lowvoltage(max.80V) •Integrateddiodeandresistor. APPLICATIONS •Industrialswitchingapplicationssuchas: –Printhammer –Sol | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 |  | |
BSP60 | PNP Darlington transistor 1.Generaldescription PNPDarlingtontransistorinanSOT223plasticpackage. NPNcomplement:BSP50 2.Featuresandbenefits •Highcurrentof-1A •Lowvoltageof-45V •Integrateddiodeandresistor •AEC-Q101qualified 3.Applications •Industrialswitchingapplicationssuchas: | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 |  | |
BSP60 | PNP Silicon Darlington Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
BSP60 | PNP Silicon Darlington Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
OptiMOS Power-Transistor OptiMOSPower-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •LogicLevel | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | ||
PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage) PNPSiliconDarlingtonTransistors ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BSP50…BSP52(NPN) | SIEMENS Siemens Ltd | | ||
PNP Silicon Darlington Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | ||
PNP Silicon Darlington Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | ||
包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223 | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | | ||
包装：卷带（TR） 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | ||
包装：卷带（TR） 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
表面帖装型 （SMD）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
1.5A
- 最大工作频率：
350MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
1.5W
- 放大倍数：
β>2000
- 图片代号：
H-99
- vtest：
60
- htest：
350000000
- atest：
1.5
- wtest：
1.5
详细参数
- 型号：
BSP60
- 制造商：
Rochester Electronics LLC
- 功能描述：
- Bulk
- 制造商：
Infineon Technologies AG
- 功能描述：
Trans Darlington PNP 45V 1A SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
SOT-223-4 |
1612 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
INENOI |
20+ |
SOT223 |
13000 |
全新原装,价格优势 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
20+ |
SOT-223 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
SOT223 |
7906200 |
询价 | ||||
PH |
2017+ |
SOT-223 |
25899 |
深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增 |
询价 | ||
INFINEON |
07+ |
SOT-223 |
36800 |
询价 | |||
INFINEON |
1604+ |
SOT-223 |
2158 |
低价支持实单,可送样品! |
询价 | ||
PHL/INF |
17+ |
SOT-223 |
6200 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
SOT223 |
35890 |
询价 | |||
INFINEON |
22+ |
SOT-223 |
2645 |
100%全新原装公司现货供应!随时可发货 |
询价 |
