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BSP50	文件：570.31 Kbytes Page：8 Pages	丝印：BSP50；Package：SOT223；NPN Silicon Darlington Transistors NPN Silicon Darlington Transistors • High collector current • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BSP60 - BSP62 (PNP) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 文件：570.31 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSP50	文件：196.55 Kbytes Page：10 Pages	NPN Darlington transistor 1. General description NPN Darlington transistor in an SOT223 plastic package. PNP complement: BSP60 2. Features and benefits • High current of 1 A • Low voltage of 45 V • Integrated diode and resistor • AEC-Q101 qualified 3. Applications • Industrial high gain amplification 文件：196.55 Kbytes 页数：10 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSP50	文件：41 Kbytes Page：3 Pages	NPN Darlington Transistor NPN Darlington Transistor • This device is designed for applications requiring extremly high current gain at collector currents to 500mA. • Sourced from process 03. 文件：41 Kbytes 页数：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BSP50	文件：146.94 Kbytes Page：5 Pages	NPN Darlington Transistor NPN Darlington Transistor • This device is designed for applications requiring extremly high current gain at collector currents to 500mA. • Sourced from process 03. 文件：146.94 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BSP50	文件：47.65 Kbytes Page：8 Pages	NPN Darlington transistors DESCRIPTION NPN Darlington transistor in a SOT223 plastic package. PNP complements: BSP60, BSP61 and BSP62. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V) • Integrated diode and resistor. APPLICATIONS • Industrial high gain amplification. 文件：47.65 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BSP50	文件：92.5 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Darlington Transistors NPN Silicon Darlington Transistors • High collector current • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BSP60 - BSP62 (PNP) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 文件：92.5 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSP50	文件：126.5 Kbytes Page：7 Pages	NPN Darlington transistors DESCRIPTION NPN Darlington transistor in a SOT223 plastic package. PNP complements: BSP60, BSP61 and BSP62. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V) • Integrated diode and resistor. APPLICATIONS • Industrial high gain amplification. 文件：126.5 Kbytes 页数：7 Pages	恩XP	恩XP
BSP50	文件：300.36 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Darling Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -VCEO= 45V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat)=1.3V(Max) @IC= 0.5A APPLICATIONS · Designed for use in automotive ignition, switching and motor control applications 文件：300.36 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BSP50	文件：152.87 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage) NPN Silicon Darlington Transistors ● High collector current ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BSP 60 … BSP 62 (PNP) 文件：152.87 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSP50	文件：120.79 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon Darlington Transistors 文件：120.79 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

晶体管资料

型号：
BSP50
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
350MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
H-99
vtest：
60
htest：
350000000
atest：
1.5
wtest：
1.5

产品属性

产品编号：
BSP50
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.3V @ 500µA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
2000 @ 500mA，10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS NPN DARL 45V 0.8A SOT223-4

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