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BSP50分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BSP50

参数属性

BSP50 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 45V 0.8A SOT223-4

功能描述

NPN Silicon Darlington Transistors

丝印标识

BSP50

封装外壳

SOT223 / TO-261-4,TO-261AA

文件大小

570.31 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

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更新时间

2025-11-15 13:38:00

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BSP50规格书详情

NPN Silicon Darlington Transistors

• High collector current

• Low collector-emitter saturation voltage

• Complementary types: BSP60 - BSP62 (PNP)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

产品属性

  • 产品编号:

    BSP50

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.3V @ 500µA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    2000 @ 500mA,10V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-4

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 45V 0.8A SOT223-4

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