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BSR13 | NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier • Sourced from process 10. 文件：48.64 Kbytes 页数：4 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | |
BSR13 | 丝印：U7*；Package：SOT-23；NPN switching transistors DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BSR15 and BSR16. FEATURES • High current (max. 800 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • Switching and linear applications. 文件：45.87 Kbytes 页数：8 Pages | PHI PHI | PHI | |
BSR13 | SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS N–P–N silicon transistors SOT-23 Formed SMD Package 文件：147.75 Kbytes 页数：4 Pages | CDIL | CDIL | |
BSR13 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：183.89 Kbytes 页数：2 Pages | DIOTEC 德欧泰克 | DIOTEC | |
BSR13 | 丝印：U7*；Package：SOT-23；NPN switching transistors DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BSR15 and BSR16. FEATURES • High current (max. 800 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • Switching and linear applications. 文件：145.71 Kbytes 页数：8 Pages | 恩XP | 恩XP | |
BSR13 | NPN Switching Transistors Features ● High current (max. 800 mA). ● Low voltage (max. 40 V). 文件：41.14 Kbytes 页数：2 Pages | KEXIN 科信电子 | KEXIN | |
BSR13 | 丝印：U7；Package：SOT23；NPN switching transistors FEATURES •High current (max. 800 mA) •Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS •Switching and linear applications. DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BSR15 and BSR16. 文件：376.31 Kbytes 页数：9 Pages | NEXPERIA 安世 | NEXPERIA | |
CIT SWITCH 文件：328.04 Kbytes 页数：4 Pages | CIT | CIT | ||
CIT SWITCH 文件：328.04 Kbytes 页数：4 Pages | CIT | CIT | ||
CIT SWITCH 文件：328.04 Kbytes 页数：4 Pages | CIT | CIT |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
表面帖装型 （SMD）_射频/高频放大 （HF）_开关管
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
0.8A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BSR14,BSS79,BSS81,
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-15
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
0.8
- wtest：
0
产品属性
- 产品编号：
BSR13
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
30nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
- 频率 - 跃迁：
250MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS NPN 30V 0.5A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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