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BSR606N

采用 SC59 封装的 N 沟道小信号 MOSFET 60 V

所有的小型单个 n 通道系列产品均适合汽车应用(2N7002 除外)。 • 增强模式\n• 无铅镀层;符合 RoHS\n• 质量符合 AEC Q101 标准\n /* Style Definitions */ table.MsoNormalTable{mso-style-name:\"Table Normal\";mso-style-parent:\"\";line-height:115%;font-size:11.0pt;\"Calibri\",\"sans-serif\";mso-fareast-\"Times New Roman\";}\n优势:;

Infineon

英飞凌

BSR606N

OptiMOS??3 Small-Signal-Transistor

文件:410.76 Kbytes 页数:9 Pages

INFINEON

英飞凌

BSS119NH6327XTSA1

SOT-23

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市富源半导体有限公司

BSS123LT1G

Reel

TE Connectivity

BSS126H6327XTSA2

SOT-23

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市智连鑫科技有限公司

技术参数

  • Package :

    SC59

  • VDS max:

    60.0V

  • RDS (on) max:

    60.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max:

    90.0mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID  max:

    2.3A

  • Ptot max:

    0.5W

  • IDpuls max:

    9.1A

  • VGS(th) min max:

    1.3V 2.3V

  • QG :

    3.7nC 

  • Operating Temperature min:

    -55.0°C 

  • Pin Count :

    3.0Pins 

  • Mounting :

    SMD

  • Mode :

    Enhancement

  • RthJA max:

    250.0K/W

  • Ciss :

    494.0pF 

  • Coss :

    131.0pF 

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
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标准封装
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更多BSR60供应商 更新时间2026-4-22 10:44:00