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BSR13分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BSR13

参数属性

BSR13 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 0.5A SOT23-3

功能描述

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

147.75 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

CDIL

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数据手册

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更新时间

2026-2-3 18:21:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BSR13

  • 别名:

    BSR13三极管、BSR13晶体管、BSR13晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_射频/高频放大 (HF)_开关管

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    0.8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BSR14,BSS79,BSS81,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.8

  • wtest:

    0

BSR13规格书详情

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

N–P–N silicon transistors

SOT-23 Formed SMD Package

产品属性

  • 产品编号:

    BSR13

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.6V @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    30nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    250MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 0.5A SOT23-3

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