| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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Infineon(英飞凌)N/A |
12000 |
23+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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1年
留言
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NK/南科功率SOT-323 |
3000 |
2025+ |
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国产南科平替供应大量 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-323 |
11580 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-323 |
11580 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-323 |
11580 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
49300 |
24+ |
只做全新原装进口现货 |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-323 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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11年
留言
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INFINEONSOT-323 |
12350 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-323 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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4年
留言
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Infineon(英飞凌) |
25650 |
23+ |
新到现货,只做原装进口 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-323 |
58000 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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10年
留言
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PHI/MOTCAN3 |
18900 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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15年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
32360 |
25+ |
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INFINEON/英飞凌全新特价BSS205NH6327即刻询购立享优惠#长期有货 |
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15年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-323 |
39402 |
25+ |
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INFINEON/英飞凌全新特价BSS209PW即刻询购立享优惠#长期有货 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7167 |
24+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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3年
留言
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INFINEONsot |
6600 |
22+ |
正品渠道现货,终端可提供BOM表配单。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-23 |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-323 |
11528 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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13年
留言
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INFISOT-323 |
8480 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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BSS20图片
BSS209PWH6327XTSA1价格
BSS209PWH6327XTSA1价格:¥0.2300品牌:Infineon
生产厂家品牌为Infineon的BSS209PWH6327XTSA1多少钱,想知道BSS209PWH6327XTSA1价格是多少?参考价:¥0.2300。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BSS209PWH6327XTSA1批发价格及采购报价,BSS209PWH6327XTSA1销售排行榜及行情走势,BSS209PWH6327XTSA1报价。
BSS209PW中文资料Alldatasheet PDF
更多BSS205N制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Small-Signal-Transistor
BSS205N H6327功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSS205N L6327功能描述:MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS205NH6327XT功能描述:MOSFET OptiMOS 2 Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS205NH6327XTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
BSS205NL6327制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-Channel Small Signal MOSFETs(20V...800V)
BSS205NL6327HTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23
BSS209PW功能描述:MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSS209PW H6327制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R
BSS209PW L6327功能描述:MOSFET P-CH -20 V -.58 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
数码驱动 (Nix)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
160V
- 最大电流允许值:
0.05A
- 最大工作频率:
>50MHZ
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BF297,BF298,BF299,BF422,BFR87,2N5551,3DG180K,
- 最大耗散功率:
0.225W
- 放大倍数:
- 图片代号:
A-71
- vtest:
160
- htest:
50000100
- atest:
0.05
- wtest:
0.225


































