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BU209	文件：127.91 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •HighReverseVoltage •HighPeakPower •CollectorCurrent-IC=4A APPLICATIONS •DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsincolorTVreceivers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BU209	文件：130.58 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
C209	文件：268.12 Kbytes Page：1 Pages	50WATTS(AC)DC/DCSINGLEIOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux10TEx165mm8TE:uponrequest •Weight0.7kg)	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
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详细参数

型号：
BSS209PW
功能描述：
MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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