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BSS209PW

OptiMOS-P Small-Signal-Transistor

文件:284.82 Kbytes 页数:8 Pages

INFINEON

英飞凌

BSS209PW

OptiMOS -P Small-Signal-Transistor

文件:75.35 Kbytes 页数:8 Pages

INFINEON

英飞凌

BSS209PW-TP

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features | + -20V-07A Rosin 520mO@-4.5V Max a ROS(on)= 700mQ@-2.5V Max . RoS(on)= 950mQ(TYP)@-1.8V

文件:3.19391 Mbytes 页数:4 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

BSS209PW_06

OptiMOS-P Small-Signal-Transistor

文件:284.82 Kbytes 页数:8 Pages

INFINEON

英飞凌

BSS209PW

P沟道增强模式小信号场效应晶体管 (FET),-100 V,SOT-223

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求,例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层;符合 RoHS\n• 小信号封装,经 AEC Q101 认证\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    BSS209PWH6327XTSA1

  • Qualification:

    Automotive

  • Package name:

    PG-SOT323-3

  • VDS max:

    -20 V

  • RDS (on) @4.5V max:

    550 mΩ

  • Special Features:

    Small Signal

  • VGS(th) min:

    -0.6 V

  • VGS(th) max:

    -1.2 V

  • Technology:

    OptiMOS™ P

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT-323
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更多BSS209PW供应商 更新时间2026-1-21 17:00:00