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恩XPSOT-23

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深圳市芯国创科技有限公司

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深圳市创新迹电子有限公司

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BSS64LT1G

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ONSEMI/安森美SOT-23

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BSS64,215

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深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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BSS64LT1G

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ONSOT23-3

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BSS64215

恩XPSOT23

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BSS64LT1G

ON(安森美)SOT-23-3

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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BSS64215

恩XPSOT23

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深圳市金华微盛电子有限公司

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BSS64LT1G

ON/安森美SOT-23

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深圳市坤融电子科技有限公司

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BSS64LT1G

ONSEMI/安森美SOT-23

5000

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原装进口价格优 请找坤融电子!

深圳市华来深电子有限公司

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专做罗姆，一系列可以订货排单，只做原装正品假一罚十

深圳市河锋鑫科技有限公司

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BSS64LT1G

ON/安森美SOT-23

120000

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原装正品 可含税交易

深圳市盈慧通电子有限公司

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BSS64LT1G

ON(安森美)SOT-23-3

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电子元器件采购降本 30%!公司原厂直采,砍掉中间差价

深圳市高捷芯城科技有限公司

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BSS64LT1G

onsemiN/A

21000

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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BSS64

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33678

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深圳市纳艾斯科技有限公司

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BSS64

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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增

中天科工半导体（深圳）有限公司

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BSS64

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BSS64中文资料Alldatasheet PDF

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BSS64功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BSS64,215功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BSS64_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BSS64E6327制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk

BSS64L功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23

BSS64LT1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 120V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BSS64LT1/D功能描述:Driver Transistor NPN

BSS64LT1D制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Driver Transistor

BSS64LT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 120V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BSS64R功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236

产品属性

  • 产品编号：

    BSS64

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    剪切带（CT）带盒（TB）

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    200mV @ 15mA，50mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 10mA，1V

  • 频率 - 跃迁：

    60MHz

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商器件封装：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS NPN 80V 0.2A SOT23-3

晶体管资料

  • 型号：

    BSS64

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性质：

    表面帖装型 （SMD）_通用型 （Uni）

  • 封装形式：

    贴片封装

  • 极限工作电压：

    120V

  • 最大电流允许值：

    0.1A

  • 最大工作频率：

    100MHZ

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    BCX41,2SC3143,2SC3340,2SC3360,3DG180J,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    H-15

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