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BSS110	文件：285.09 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching 文件：285.09 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BSS110	文件：76.96 Kbytes Page：9 Pages	P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in a TO-92 variant package. FEATURES • Low threshold voltage • Direct interface to C-MOS, TTL, etc. • High speed switching • No secondary breakdown. APPLICATIONS • Intended for use as a Line current interruptor in telepho 文件：76.96 Kbytes 页数：9 Pages	PHI PHI	PHI
BSS110	文件：80.51 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level) SIPMOS ® Small-Signal Transistor • P channel • Enhancement mode • Logic Level • VGS(th) = -0.8...-2.0 V 文件：80.51 Kbytes 页数：7 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSS119	文件：134.57 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode) SIPMOS ® Small-Signal Transistor • N channel • Enhancement mode • VGS(th) = 1.6 ...2.6 V 文件：134.57 Kbytes 页数：8 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSS119	文件：81.33 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • dv/dt rated 文件：81.33 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSS119	文件：95.55 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • dv/dt rated 文件：95.55 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSS119E6327	文件：95.55 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • dv/dt rated 文件：95.55 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSS119N	文件：661.02 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Features • N-channel • Enhancement mode • Logic level (4.5V rated) • Avalanche rated • Qualified according to AEC Q101 • 100 lead-free; RoHS compliant; Halogen free 文件：661.02 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSS119N	文件：6.12272 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ® Low on-resistance ® High-speed switching ® Drive circuits can be simple ® Parallel use is easy 文件：6.12272 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
BSS119	文件：95.55 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件：95.55 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

详细参数

型号：
BSS11
功能描述：
MOSFET DISC BY MFG 2/02
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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