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BSS123LT1D	文件：58.16 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts PowerMOSFET170mAmps,100Volts N−ChannelSOT−23 Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BSS123LT1G	文件：58.16 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSFET170mAmps,100Volts PowerMOSFET170mAmps,100Volts N−ChannelSOT−23 Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BSS123LT1G	文件：115.51 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET170mAmps,100Volts PowerMOSFET170mAmps,100Volts N−ChannelSOT−23 Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BVSS123LT1G	文件：115.51 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET170mAmps,100Volts PowerMOSFET170mAmps,100Volts N−ChannelSOT−23 Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LBSS123LT1	文件：99.51 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURE ●Pb-FreePackageisavailable.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LBSS123LT1G	文件：1.74991 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •LowThreshold:2V(typ.) •LowInputCapacitance:25pF •FastSwitchingSpeed:25ns •LowInputandOutputLeakage •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LBSS123LT1G	文件：99.51 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURE ●Pb-FreePackageisavailable.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC

详细参数

型号：
BSS123LT1D
制造商：
ONSEMI
制造商全称：
ON Semiconductor
功能描述：
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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