| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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11年
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
26800 |
24+ |
只做原装正品,每一片都来自原厂 |
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2年
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
26800 |
24+ |
只做原装正品,每一片都来自原厂 |
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16年
留言
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Infineon(英飞凌)原装 |
68794 |
26+ |
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Infineon(英飞凌)_BSS131即刻询购立享优惠#长期有订 |
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2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
26800 |
24+ |
只做原装正品,每一片都来自原厂 |
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1年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
26800 |
24+ |
只做原装正品,每一片都来自原厂 |
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Infineon(英飞凌)N/A |
12000 |
23+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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4年
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Infineon(英飞凌) |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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7年
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Infineon(英飞凌)N/A |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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0年
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InfineonSOT-23 |
100 |
20+21+ |
全新原装正品 |
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7年
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Infineon(英飞凌) |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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8年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
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Infineon(英飞凌)SOT-23 |
79697 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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8年
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Slkor/萨科微SOT-23 |
50000 |
24+ |
Slkor/萨科微一级代理,价格优势 |
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5年
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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11年
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
26800 |
24+ |
只做原装正品,每一片都来自原厂 |
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2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
26800 |
24+ |
只做原装正品,每一片都来自原厂 |
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更多BSS131制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N SOT-23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET, N, SOT-23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N CH MOSFET, 240V, 100mA, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100mA; Drain Source Voltage Vds:240V; On Resistance Rds(on):14ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.4V ;RoHS Compliant: Yes 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-channel MOSFET,BSS131 0.1A 240V
BSS131 H6327功能描述:MOSFET CHIPLIEFERUNGEN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS131 L6327功能描述:MOSFET N-CH 240V 0.1 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS131_09制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSS131E6327功能描述:MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSS131E6327T制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R
BSS131E6433XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R
BSS131H6327制造商:Infineon 功能描述:240V,0.11A,N channel Power MOSFET
BSS131H6327HTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SP000705718
BSS131H6327XT功能描述:MOSFET SIPMOS Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
