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BSS119E6327

SIPMOS Small-Signal-Transistor

Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • dv/dt rated

文件:95.55 Kbytes 页数:8 Pages

Infineon

英飞凌

BSS119NH6327XTSA1

SOT-23

Infineon

英飞凌

上传:深圳市富源半导体有限公司

BSS123LT1G

Reel

TE Connectivity

BSS126H6327XTSA2

TO-236

ON

BSS127H6327

SOT23

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市赛特兴科技有限公司

INFINEON/英飞凌

详细参数

  • 型号:

    BSS119E6327

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    SIPMOS®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BSS119E6327供应商 更新时间2025-12-12 9:04:00