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BSS119NH6327XTSA1

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INFINEONN/A

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Infineon/英飞凌SOT23

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BSS119NH6327

BSS119NH6327

Infineon/英飞凌原厂封装

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BSS119NH6327XTSA1

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Infineon(英飞凌)N/A

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Infineon(英飞凌)

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INFINEONSOT-23

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Infineon(英飞凌)SOT-23

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Infineon(英飞凌)SOT-23

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INFINEON/英飞凌SOT-23

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BSS119NH6327

英飞凌|InfineonSOT23

9500

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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BSS119NH6327贴片三极管

INFINEON/英飞凌SOT-23

3600

2019+PB

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深圳市亿顺芯科技有限公司

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BSS119NH6327MOS(场效应管)

INFINEON/英飞凌SOT-23

28942

最新批次

原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十

深圳市弘为电子有限公司

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PHI/MOTCAN3

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原装现货假一罚十

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MOTCAN3

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BSS11

PH/ST/MOTCAN

50000

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全新原装现货

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PHI/MOTCAN3

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铁帽原装主营-可开原型号增税票

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BSS119NH6327XTSA1

BSS119NH6327XTSA1

InfineonSOT-23

8860

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BSS119价格：￥0.3250品牌：INFINEON

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BSS119NH6327XTSA1

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BSS119NH6327XTSA1中文资料Alldatasheet PDF

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BSS110功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS110_D27Z功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS119 E6433功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

BSS119 E7796功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

BSS119 E7978功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

BSS119 H6327功能描述:MOSFET CHIPLIEFERUNGEN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS119 L6327功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.17A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS119 L6433功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor 100V .17A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS119 L7796功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor 100V .17A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSS119 L7978功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor 100V .17A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

晶体管资料

  • 型号：

    BSS11

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性质：

    高速开关 （SS）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    40V

  • 最大电流允许值：

    0.2A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    BSS10,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX92,BSX93,2N2368,2N2369(A),3DG130D,

  • 最大耗散功率：

    0.36W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    D-8

  • vtest：

    40

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.2

  • wtest：

    0.36

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