BSS123W数据表ic资料行情报价达尔科技-114ic电子网

首页 >BSS123W>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业
BSS123W	文件：152.36 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •HighDrain-SourceVoltageRating •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice,Note3and4	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BSS123W	文件：216.64 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Description ThisN-channelenhancementmodefieldeffecttransistorisproducedusinghighcelldensity,trenchMOSFETtechnology.Thisproductminimizeson-stateresistancewhileprovidingrugged,reliableandfastswitchingperformance.Thisproductisparticularlysuitedforlow-voltage,low-c	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BSS123W	文件：2.06458 Mbytes Page：5 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS FEATURE SurfaceMountPackage HighDensityCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) VoltageControlledSmallSignalSwitch RuggedandReliable	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
BSS123W	文件：67.49 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInp	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BSS123W	文件：92.42 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BSS123W	文件：1.07264 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd
BSS123W_0711	文件：152.36 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •HighDrain-SourceVoltageRating •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice,Note3and4	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BSS123W-7-F	文件：152.36 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •HighDrain-SourceVoltageRating •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice,Note3and4	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BSS123WQ	文件：419.64 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpe	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BSS123WQ-7-F	文件：419.64 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpe	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BSS123W_1	文件：92.42 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BSS123W_15	文件：231.12 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BSS123W-7-F	文件：92.42 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
123	文件：100.96 Kbytes Page：4 Pages	CustomerSpecification Construction Diameters(In) 1)Component18X1COND a)Conductor22(26/36)AWGBareCopper0.027 b)Insulation0.010Wall,Nom.MPPE0.047 (1)Color(s) CondColorCondColorCondColor 1WHITE4YELLOW7BLUE 2BROWN5SLATE8RED 3GREEN6PINK 2)CableAssembly8ComponentsCabled	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线
123	文件：99.76 Kbytes Page：4 Pages	CustomerSpecificationS Construction Diameters(In) 1)Component18X1COND a)Conductor22(26/36)AWGBareCopper0.027 b)Insulation0.010Wall,Nom.MPPE0.047 (1)Color(s) CondColorCondColorCondColor 1WHITE4YELLOW7BLUE 2BROWN5SLATE8RED 3GREEN6PINK 2)CableAssembly8ComponentsCabled	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线
123.SA	文件：3.67611 Mbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTweezers	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
123A	文件：349.44 Kbytes Page：5 Pages	M.2Socket,H2.1AKey0.5PitchG/F,Black,Reel PerformanceandDescriptions: Theproductisdesignedtomeettheelectrical,mechanicalandenvironmentalperformancerequirementsspecification.Unlessotherwisespecified,alltestsareperformedatambientenvironmentalconditions.	ATTEND ATTEND Technology Inc.
123A	文件：207.43 Kbytes Page：1 Pages	3.6V/400mAh	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子迪贝电子（上海）有限公司
123B	文件：2.88743 Mbytes Page：11 Pages	ScopeMeter짰Hand-HeldOscilloscopesDual-inputdigitaloscilloscopeandmultimeter	FLUKEFluke Corporation 福禄克公司
123JE	文件：124.92 Kbytes Page：1 Pages	CarbonCompositionMoldedOD/OFSeries(5Tol.)OASeries(10)	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商

12 3 4 5 6 >>>

详细参数

型号：
BSS123W
制造商：
DIODES
制造商全称：
Diodes Incorporated
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	BSS123W	onsemi	23+	SOT-323	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	BSS123W		23+	N/A	59210	正品授权货源可靠	询价
深圳市纳立科技有限公司	BSS123W		三年内		1983	纳立只做原装正品13590203865	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	BSS123W	ON/安森美	1922+	SOT323	6852	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
深圳市欧亚佳电子有限公司	BSS123W	ON	20+	SMD	11520	特价全新原装公司现货	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	BSS123W	FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR	23+	NA	9000	原装现货,专业配单专家	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	BSS123W	Fairchild	1930+	N/A	25025	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
深圳市百域芯科技有限公司	BSS123W	ON/安森美	21+	SMD	30000	百域芯优势实单必成可开13点增值税	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	BSS123W	ON	21+	SOT323	12000	原装现货假一赔十	询价
深圳市科雨电子有限公司	BSS123W	ON	1809+	SOT-323	3675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价

更多BSS123W供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

详细参数

相关规格书

相关库存