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BSS119_06

SIPMOS Small-Signal-Transistor

文件:95.55 Kbytes 页数:8 Pages

INFINEON

英飞凌

BSS110

SIPMOS® Small-Signal Transistor

SIPMOS ® Small-Signal Transistor• P channel\n• Enhancement mode\n• Logic Level\n• VGS(th) = -0.8...-2.0 V

Infineon

英飞凌

BSS119N

Small Signal MOSFET

所有的小型单个 n 通道系列产品均适合汽车应用(2N7002 除外)。 • 增强模式\n• 无铅镀层;符合 RoHS\n• 质量符合 AEC Q101 标准\n /* Style Definitions */ table.MsoNormalTable{mso-style-name:\"Table Normal\";mso-style-parent:\"\";line-height:115%;font-size:11.0pt;\"Calibri\",\"sans-serif\";mso-fareast-\"Times New Roman\";}\n优势:;

Infineon

英飞凌

BSS119

Low Voltage MOSFETs - Small-Signal MOSFET, 100V, SOT-23, RDSon=6Ohm, 0.17A, LL

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    BSS11

  • 功能描述:

    MOSFET DISC BY MFG 2/02

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多BSS11供应商 更新时间2026-3-10 23:00:00