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BSR31	文件：41.28 Kbytes Page：8 Pages	PNP medium power transistors DESCRIPTION PNP medium power transistor in a SOT89 plastic package. NPN complements: BSR40; BSR41 and BSR43. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Telephony and general industrial applications • Thick and thin-film circuits. 文件：41.28 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BSR31	文件：118.75 Kbytes Page：7 Pages	PNP medium power transistors DESCRIPTION PNP medium power transistor in a SOT89 plastic package. NPN complements: BSR40; BSR41 and BSR43. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Telephony and general industrial applications • Thick and thin-film circuits. 文件：118.75 Kbytes 页数：7 Pages	恩XP	恩XP
BSR31	文件：38.78 Kbytes Page：2 Pages	PNP Medium Power Transistors Features ● High current (max. 1 A) ● Low voltage (max. 80 V). 文件：38.78 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BSR31	文件：180.42 Kbytes Page：7 Pages	60 V, 1 A PNP medium power transistor 1. General description PNP medium power transistor in a SOT89 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: BSR41 2. Features and benefits • High current • High power dissipation capability • Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity • AEC-Q101 qua 文件：180.42 Kbytes 页数：7 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSR31	文件：16.76 Kbytes Page：1 Pages	SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS 文件：16.76 Kbytes 页数：1 Pages	ZETEX	ZETEX
BSR31	文件：27.04 Kbytes Page：1 Pages	SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS 文件：27.04 Kbytes 页数：1 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSR31-Q	文件：181.33 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BR2；Package：SOT89；60 V, 1 A PNP medium power transistor 1. General description PNP medium power transistor in a SOT89 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: BSR41-Q 2. Features and benefits • High current • High power dissipation capability • Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity • Qualified 文件：181.33 Kbytes 页数：7 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSR315P	文件：600.97 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件：600.97 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSR316P	文件：278.8 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件：278.8 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSR31	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP medium power transistors DESCRIPTION\nPNP medium power transistor in a SOT89 plastic package.\nNPN complements: BSR40; BSR41 and BSR43.FEATURES\n• High current (max. 1 A)\n• Low voltage (max. 80 V).APPLICATIONS\n• Telephony and general industrial applications\n• Thick and thin-film circuits. • High current (max. 1 A)\n• Low voltage (max. 80 V).;	恩XP	恩XP

晶体管资料

型号：
BSR31
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_开关管
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
β>100
图片代号：
H-100
vtest：
70
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0

技术参数

Package name：
SOT89
Size (mm)：
4.5 x 2.5 x 1.5
Polarity：
PNP
Ptot (mW)：
1350
VCEO [max] (V)：
-60
IC [max] (mA)：
-1000
hFE [min]：
30
hFE [max]：
300
Tj [max] (°C)：
150
fT [min] (MHz)：
100
Automotive qualified：
Y

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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