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BSR33	文件：33.61 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR COMPLEMENTARY TYPE – BSR43 PARTMARKING DETAILS – BR4 文件：33.61 Kbytes 页数：1 Pages	Zetex	Zetex
BSR33	文件：41.28 Kbytes Page：8 Pages	PNP medium power transistors DESCRIPTION PNP medium power transistor in a SOT89 plastic package. NPN complements: BSR40; BSR41 and BSR43. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Telephony and general industrial applications • Thick and thin-film circuits. 文件：41.28 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BSR33	文件：293.75 Kbytes Page：7 Pages	80V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 Features  BVCEO > -80V  IC = -1A High Continuous Current  Low saturation voltage VCE(sat) 文件：293.75 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSR33	文件：287.57 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP epitaxial planer Transistors Features • Low Voltage • High Current • Complement to BSR43 • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Halogen free available upon request by adding suffix - 文件：287.57 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
BSR33	文件：118.75 Kbytes Page：7 Pages	PNP medium power transistors DESCRIPTION PNP medium power transistor in a SOT89 plastic package. NPN complements: BSR40; BSR41 and BSR43. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Telephony and general industrial applications • Thick and thin-film circuits. 文件：118.75 Kbytes 页数：7 Pages	恩XP	恩XP
BSR33	文件：294.43 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low Voltage ● High Current ● Complement to BSR43 APLICATIONS ● Medium Power Transistor 文件：294.43 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
BSR33	文件：1.18499 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low Voltage ● High Current ● Complement to BSR43 APLICATIONS ● Medium Power Transistor 文件：1.18499 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BSR33	文件：38.78 Kbytes Page：2 Pages	PNP Medium Power Transistors Features ● High current (max. 1 A) ● Low voltage (max. 80 V). 文件：38.78 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BSR33	文件：1.73804 Mbytes Page：4 Pages	丝印：BR4；Package：SOT-89-3L；SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Voltage High Current Complement to BSR43 AAPLICATIONS Medium Power Transistor 文件：1.73804 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
BSR33	文件：181.8 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BR4；Package：SOT89；80 V, 1 A PNP medium power transistor 1. General description PNP medium power transistor in a SOT89 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: BSR43 2. Features and benefits • High current • High power dissipation capability • Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity • AEC-Q101 qua 文件：181.8 Kbytes 页数：7 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

晶体管资料

型号：
BSR33
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_开关管
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
90V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
β>100
图片代号：
H-100
vtest：
90
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Yes
Product Type：
PNP
IC (A)：
1 A
ICM (A)：
2 A
PD (W)：
1 W
hFE (min)：
100 Min
hFE(@ IC)：
0.1 A
hFE(Min 2)：
50
hFE(@ IC2)：
0.5 A
VCE (SAT)Max (mV)：
250 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.15/15
VCE (SAT)(Max.2)：
500 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
0.5/50
fT (MHz)：
100 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BSR33供应商更新时间2025-12-24 11:39:00

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