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BSR33	文件：16.76 Kbytes Page：1 Pages	SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS 文件：16.76 Kbytes 页数：1 Pages	Zetex	Zetex
BSR33	文件：27.04 Kbytes Page：1 Pages	SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS 文件：27.04 Kbytes 页数：1 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSR33PAS	文件：248.96 Kbytes Page：11 Pages	丝印：G3；Package：SOT1061D；80 V, 1 A PNP medium power transistor 1. General description PNP medium power transistors in an ultra thin DFN2020D-3 (SOT1061D) leadless small Surface- Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability and Side-Wettable Flanks (SWF). 2. Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Red 文件：248.96 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSR33PAS-Q	文件：250.29 Kbytes Page：11 Pages	丝印：G3；Package：SOT1061D；80 V, 1 A PNP medium power transistor 1. General description PNP medium power transistors in an ultra thin DFN2020D-3 (SOT1061D) leadless small Surface- Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability and Side-Wettable Flanks (SWF). 2. Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Red 文件：250.29 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSR33-Q	文件：181.31 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BR4；Package：SOT89；80 V, 1 A PNP medium power transistor 1. General description PNP medium power transistor in a SOT89 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: BSR43-Q 2. Features and benefits • High current • High power dissipation capability • Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity • Qualified 文件：181.31 Kbytes 页数：7 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSR33QTA	文件：293.75 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BR4；Package：SOT89；80V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 Features  BVCEO > -80V  IC = -1A High Continuous Current  Low saturation voltage VCE(sat) 文件：293.75 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSR33TA	文件：293.75 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BR4；Package：SOT89；80V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 Features  BVCEO > -80V  IC = -1A High Continuous Current  Low saturation voltage VCE(sat) 文件：293.75 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSR33_15	文件：294.22 Kbytes Page：7 Pages	80V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 文件：294.22 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSR33	文件：300 bytes Page：1 Pages	80 V, 1 A PNP medium power transistor PNP medium power transistor in a SOT89 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: BSR43. • High current\n• High power dissipation capability\n• Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
BSR33	文件：300 bytes Page：1 Pages	中等功率双极型晶体管	MCC 美微科	MCC

晶体管资料

型号：
BSR33
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_开关管
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
90V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
β>100
图片代号：
H-100
vtest：
90
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Yes
Product Type：
PNP
IC (A)：
1 A
ICM (A)：
2 A
PD (W)：
1 W
hFE (min)：
100 Min
hFE(@ IC)：
0.1 A
hFE(Min 2)：
50
hFE(@ IC2)：
0.5 A
VCE (SAT)Max (mV)：
250 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.15/15
VCE (SAT)(Max.2)：
500 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
0.5/50
fT (MHz)：
100 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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