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Marking：G3；Package：SC-79；Schottky barrier diode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdiodeinaSOD523(SC-79)ultrasmallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Verylowforwardvoltage •Guardringprotected •UltrasmallSMDpackage •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuse | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：G3；Package：SOT-23；Switching DIODES FEATURES •Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) •Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) | KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD. | KOOCHIN | ||
Marking：G3；Package：SOT-23；SWITCHING DIODE FEATURES Lowforwardvoltage Fastreverserecoverytime | SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司 | SY | ||
Marking：G3；Package：SOT-23；Surface mount switching diode FEATURES ●Lowforwardvoltage VF(3)=0.9V(typ). ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ). ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ). APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication. | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司 | BILIN | ||
Marking：G3；Package：MO340-BA；45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •Highcurrent •Threecurrentgainselections •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •High-temperatureappli | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：G3；Package：SOT1061D；80 V, 1 A PNP medium power transistor 1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorsinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityandSide-WettableFlanks (SWF). 2.Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Red | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：G3；Package：SOT1061D；80 V, 1 A PNP medium power transistor 1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorsinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityandSide-WettableFlanks (SWF). 2.Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Red | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：G3；Voltage Regulator Diodes Features ◇Silliconplanarzenerdiodes. ◇Lowprofilesurface-mountpackage. ◇Zenerandsurgecurrentspecification ◇Lowleakagecurrent ◇Excellentstability ◇Hightemperaturesolderingguaranteed:265℃/10seconds,atterminals | LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司 | LUGUANG | ||
Marking：G3；Package：SOD-123FL；Voltage Regulator Diodes Features ◇Silliconplanarzenerdiodes. ◇Lowprofilesurface-mountpackage. ◇Zenerandsurgecurrentspecification ◇Lowleakagecurrent ◇Excellentstability ◇Hightemperaturesolderingguaranteed:265℃/10seconds,atterminals | LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司 | LUGUANG | ||
Marking：G3；Package：SOD123F；Voltage regulator diodes 1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinanSOD123FsmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Totalpowerdissipation:≤830mW •Threetoleranceseries:±1%,±2%andapproximately±5% •Wideworkingvoltagera | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA |
替换型号
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
- 性质：
射频/高频放大 （HF）_静噪放大 （LN）_宽频带放大
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
- 最大电流允许值：
0.15A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
0.2W
- 放大倍数：
- 图片代号：
A-43
- vtest：
0
- htest：
999900
- atest：
0.15
- wtest：
0.2
详细参数
- 型号：
G3
- 制造商：
NTE Electronics
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GEMU |
2447 |
BGA |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
XX |
23+ |
SOT-23 |
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全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
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24+ |
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6050 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
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25+ |
SOT-23 |
2800 |
原装正品,假一罚十! |
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20+ |
射频元件 |
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DIODES INCORPORATED |
24+ |
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LQFP64 |
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公司只做原装,诚信经营 |
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23+ |
SOT-23 |
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全新原装现货,价格优势 |
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