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Marking：G30N03A；Package：DFN3X3-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG30N03D3Ausesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体 | GOFORD |
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