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DTB122J

Marking:G3C;DIGITAL TRANSISTOR

Features 1)Built-InBiasingResistors,R1=R2=10kΩ 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationof aninvertercircuitwithoutconnectingexternal inputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobeset foroperation,makingthecircuitdesigne

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

UPG2135TK-E2

Marking:G3C;GaAs INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES •Operationfrequency:fopt=1429to1453MHz(1441MHzTYP.) •Supplyvoltage:VDD1=2.7to3.3V(3.0VTYP.) :VDD2=3.0to4.2V(3.5VTYP.) •Circuitcurrent:IDD=35mATYP.@VDD1=3.0V,VDD2=3.5V,VAGC=2.5V,Pin=-16dBm •Powergain:GP=30dBTYP.@VD

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

DTB122JK

Marking:G3C;Package:SMT3;Digital transistor (built-in resistors)

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

详细参数

  • 型号:

    G3C

  • 功能描述:

    Solid-state Relay

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更多G3C供应商 更新时间2025-5-19 15:57:00