选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ROHM/罗姆SOT323 |
7906200 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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ROHMUMT3 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市宇集芯电子有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-323SC-70 |
163000 |
22+ |
一级代理商现货保证进口原装正品假一罚十价格合理 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT323 |
7906200 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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ROHM/罗姆UMT3 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesSOT363 |
13000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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DIODES/美台SOT-363 |
3000 |
2009 |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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ON/安森美SC-70 |
600000 |
22+ |
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-323 |
2800 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市宇集芯电子有限公司5年
留言
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Infineon/英飞凌SOT323 |
163000 |
22+ |
一级代理商现货保证进口原装正品假一罚十价格合理 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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PHISOT23 |
25 |
9816 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-323SC-70 |
78000 |
23+ |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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Infineon/Infineon TechnologiesSOT23 |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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VBsemiTO263 |
6000 |
2022+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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PHISOT23 |
25 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NXPSOT-323 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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ROHM |
3280 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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PHISOT23 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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PHISot-323 |
33042 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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PHILIPSSOT-323 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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BC858BWT1G价格
BC858BWT1G价格:¥0.0888品牌:ON
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BC858BW中文资料Alldatasheet PDF
更多BC858BW制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:Siemens 功能描述:100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 制造商:Infineon Technologies AG
BC858BW _R1 _00001制造商:PanJit Touch Screens
BC858BW RF功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858BW_ R2 _00001制造商:PanJit Touch Screens
BC858BW-7功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858BW-7-F功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858BWE6327制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
BC858BW-E6327制造商:Siemens 功能描述:100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858BWE6327HTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR PNP AF 30V SOT-323
BC858BWE6327XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-323 T/R