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UPG2022TB-E4	文件：213.67 Kbytes Page：10 Pages	Marking：G3L；GaAs INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Operatingfrequency:f=4.8to5.85GHz •Lowinsertionloss:LINS=0.8dBTYP.@f=4.9to5.2GHz LINS=0.9dBTYP.@f=5.8GHz •Handlingpower:Pin(0.1dB)=+30dBmTYP.@f=4.9to5.2GHz Pin(0.1dB)=+31dBmTYP.@f=5.2to5.85GHz •Controlvoltage:Vcont=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
AP2112K-1.2TRG1	文件：743.27 Kbytes Page：18 Pages	Marking：G3L；Package：SOT25；600mA CMOS LDO REGULATOR WITH ENABLE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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制造商上传企业

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UPG2022TB-E4

文件：213.67 Kbytes

Page：10 Pages

Marking：G3L；GaAs INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES •Operatingfrequency:f=4.8to5.85GHz •Lowinsertionloss:LINS=0.8dBTYP.@f=4.9to5.2GHz LINS=0.9dBTYP.@f=5.8GHz •Handlingpower:Pin(0.1dB)=+30dBmTYP.@f=4.9to5.2GHz Pin(0.1dB)=+31dBmTYP.@f=5.2to5.85GHz •Controlvoltage:Vcont=

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

AP2112K-1.2TRG1

文件：743.27 Kbytes

Page：18 Pages

Marking：G3L；Package：SOT25；600mA CMOS LDO REGULATOR WITH ENABLE

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

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