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BC858B	文件：167.03 Kbytes Page：4 Pages	丝印：G3K；Package：SOT-23；PNP General Purpose Transistor PNP General Purpose Transistor Features 1) BVCEO 文件：167.03 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BC858BW	文件：167.03 Kbytes Page：4 Pages	丝印：G3K；Package：SOT-323；PNP General Purpose Transistor PNP General Purpose Transistor Features 1) BVCEO 文件：167.03 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BC858B	文件：148.53 Kbytes Page：5 Pages	丝印：G3K；Package：SOT-23；PNP General Purpose Transistor 文件：148.53 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BC858BW	文件：148.53 Kbytes Page：5 Pages	丝印：G3K；Package：SOT-323；PNP General Purpose Transistor 文件：148.53 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
G3K8N15HE	文件：950.36 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G3K8N15；Package：SOT-223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G3K8N15HE uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：950.36 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G3K8N15KE	文件：694.58 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G3K8N15；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G3K8N15KE uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：694.58 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G3K8N15HE	文件：950.36 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G3K8N15；Package：SOT-223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G3K8N15HE uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：950.36 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G3K8N15KE	文件：694.58 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G3K8N15；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G3K8N15KE uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：694.58 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G3K	文件：52.56 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 3.0 Amperes FEATURES ♦ High temperature metallurgically bonded construction ♦ Glass passivated cavity-free junction ♦ Hermetically sealed package ♦ 3.0 Ampere operation at TA=70°C with no thermal runaway ♦ Typical IR le 文件：52.56 Kbytes 页数：2 Pages	GE	GE
G3K	文件：136.4 Kbytes Page：2 Pages	SINTERED GLASS JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 100V to 800V CURRENT: 3.0A FEATURE High temperature metallurgically bonded construction Sintered glass cavity free junction High temperature soldering guaranteed 350°C /10sec/0.375”lead length at 5 lbs tension 文件：136.4 Kbytes 页数：2 Pages	GULFSEMI 海湾电子	GULFSEMI

详细参数

型号：
G3K
功能描述：
两极晶体管 - BJT Transistor 200mW
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	BC858B	NEXPERIA/安世	25+	SOT23	600000	NEXPERIA/安世全新特价BC858B即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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更多G3K供应商更新时间2025-11-4 11:39:00

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