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G3K8N15KE | 丝印：G3K8N15；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G3K8N15KE uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：694.58 Kbytes 页数：6 Pages | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | |
G3K8N15KE | 150V N Channel TRENCH MOSFET | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G3K8N15HE uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：950.36 Kbytes 页数：6 Pages | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | ||
DIP | OMRON | |||
DIP-4 | Vishay |
技术参数
- Package：
TO-252
- Type：
N
- ESD Diode：
YES
- Vds(V)：
150
- Vgs(V)：
±20
- Id(A)：
6
- Pd(W)：
20
- Vgs(th)max(V)：
2.5
- Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
310
- Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
325
- Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
370
- Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
390
- Qg(nC)：
20
- Qgs(nC)：
3
- Qgd(nC)：
5
- Ciss(pF)：
549
- Crss(pF)：
13
- Technology：
TRENCH
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
70000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ME |
23+ |
6500 |
13 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
YANGJIE |
24+ |
SMAF |
50000 |
原厂直销全新原装正品现货 欢迎选购 |
询价 | ||
YANGJIE/扬杰科技 |
24+ |
SMAF |
8000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
YANGJIE/扬杰科技 |
24+ |
SMAF |
50000 |
全新原装,一手货源,全场热卖! |
询价 | ||
ME |
25+ |
SOT23-5 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
VISHAY/威世通 |
25+ |
SOD64 |
7500 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
MAKOSEMI |
23+ |
SOT-23 |
800004020 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
N/A |
23+ |
QFP |
6500 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
OMRON |
23+ |
模块 |
595 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
询价 |
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更新时间2025-12-6 11:06:00
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