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G3K8N15KE	文件：694.58 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G3K8N15；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G3K8N15KE uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：694.58 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G3K8N15HE	文件：950.36 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G3K8N15HE uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：950.36 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G3NE-220TDC24V	文件：0 bytes Page：0 Pages	OMRON DIP	OMRON 欧姆龙上传：深圳市原品电子科技有限公司	OMRON
G3SBA60	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY DIP-4	VishayVishay Siliconix 威世上传：深圳市宇创芯科技有限公司	Vishay
G3VM-601BY	文件：0 bytes Page：0 Pages	OMRON/欧姆龙 DIP6	OMRON/欧姆龙上传：深圳市澳亿芯电子科技有限公司	OMRON/欧姆龙

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