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G30N03D3-L

丝印:G30N03L;Package:DFN3X3-8L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G30N03D3-L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件:728.73 Kbytes 页数:6 Pages

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更多G30N03L供应商 更新时间2025-9-10 11:06:00