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G30H603	文件：2.10965 Mbytes Page：14 Pages	型号：IGP30N60H3；Package：PG-TO220-3；High speed switching series third generation TRENCHSTOPtechnologyoffering •verylowturn-offenergy •lowVCEsat •lowEMI •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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G30H603

文件：2.10965 Mbytes

Page：14 Pages

型号：IGP30N60H3；Package：PG-TO220-3；High speed switching series third generation

TRENCHSTOPtechnologyoffering •verylowturn-offenergy •lowVCEsat •lowEMI •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

型号：
G30H603
功能描述：
IGBT 晶体管 600V 30A 187W
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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