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IGP30N60H3	文件：2.10965 Mbytes Page：14 Pages	Marking：G30H603；Package：PG-TO220-3；High speed switching series third generation TRENCHSTOPtechnologyoffering •verylowturn-offenergy •lowVCEsat •lowEMI •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGP30N60H3	文件：269.93 Kbytes Page：2 Pages	Trench and Fieldstop IGBT DESCRIPTION ·Verylowturn-offenergy ·LowVCEsat ·Maximumjunctiontemperature175℃ ·LowEMI APPLICATIONS ·Converterswithhighswitchingfrequency ·Weldingconverters ·Uninterruptiblepowersupplies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IGP30N60H3XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 187W TO220-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGW30N60H3	文件：1.5673 Mbytes Page：14 Pages	HighspeedIGBTINTrenchandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW30N60H3	文件：2.19193 Mbytes Page：16 Pages	IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW30N60H3	文件：1.64752 Mbytes Page：16 Pages	HighspeedDuopack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnology Features: TRENCHSTOP™technologyoffering •verylowVCEsat •lowEMI •Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •completeproductspectrumandPSpiceMod	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IGP30N60H3
功能描述：
IGBT 晶体管 600V 30A 187W
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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