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IGP30N60H3	文件：2.10965 Mbytes Page：14 Pages	丝印：G30H603；Package：PG-TO220-3；High speed switching series third generation TRENCHSTOP technology offering • very low turn-off energy • low VCEsat • low EMI • maximum junction temperature 175°C • qualified according to JEDEC for target applications • Pb-free lead plating, halogen-free mould compound, RoHS compliant 文件：2.10965 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IGP30N60H3	文件：269.93 Kbytes Page：2 Pages	Trench and Fieldstop IGBT DESCRIPTION · Very lowturn-offenergy · Low VCEsat · Maximum junction temperature175℃ · Low EMI APPLICATIONS · Converter swith high switching frequency · Welding converters · Uninterruptible powersupplies 文件：269.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IGP30N60H3	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT High speed 600 V, 30 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO220 package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses. • Low switching losses for high efficiency\n• Excellent Vce(sat)behavior thanks to the famous Infineon TRENCHSTOP™ technology\n• Fast switching behavior with low EMI emissions\n• Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses\n• Low gate resistor selection p;	Infineon 英飞凌	Infineon
IGP30N60H3XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 187W TO220-3	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
yes
Switching Frequency min：
20 kHz
Switching Frequency max：
100 kHz
Technology：
IGBT HighSpeed 3
Voltage Class max：
600 V
IC @ 100° max：
30 A
VCE(sat)：
1.95 V
Qualification：
Industrial
Eon：
0.73 mJ
Eoff Hard Switching：
0.44 mJ
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT
Type：
IGBT
Package name：
PG-TO220-3
td(on)：
18 ns
tr：
22 ns
td(off)：
207 ns
tf：
22 ns
QGate：
165 nC
IC @ 25° max：
60 A
ICpuls max：
120 A
tSC：
5 µs
Soft Switching：
no

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更多IGP30N60H3供应商更新时间2025-10-13 23:00:00

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