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丝印：G30M65DF2AG；Package：HU3PAK；Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT in an HU3PAK package Features • AEC-Q101 qualified • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • 6 μs of minimum short-circuit withstand time • VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 30 A • Tight parameter distribution • Safer paralleling • Low thermal resistance • Soft and very fast-recovery antiparallel diode • Exc 文件：1.08111 Mbytes 页数：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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STMicroelectronics |
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TO-262-3 长引线 I?Pak TO-26 |
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SUNTSUFREQU |
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ST/意法 |
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26-PowerDIP |
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只做原装,全新原装进口,假一罚十 |
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意法半导体 |
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NA |
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ST/意法 |
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ST |
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NA |
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ST |
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更新时间2025-8-10 15:17:00
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