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Marking：G30M65DF2AG；Package：HU3PAK；Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT in an HU3PAK package Features •AEC-Q101qualified •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C •6μsofminimumshort-circuitwithstandtime •VCE(sat)=1.6V(typ.)@IC=30A •Tightparameterdistribution •Saferparalleling •Lowthermalresistance •Softandveryfast-recoveryantiparalleldiode •Exc | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS |
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